在半导体制作工艺中，80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水；在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。
电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm (25℃),已极其接近超纯水理论极限值18.3 MΩ.cm (25℃)。对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。如256兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达0.1微米,要保证这一指标,超纯水中颗粒径就得≤0.05μm,而且≥0.05μm不得超过500个/升超纯水。

------中国科学院半导体研究所 质量控制中心